FF23MR12W1M1P_B11
概要
デュアル 1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール
CoolSiC™ MOSFET、サーミスタ(NTC)を搭載し、PressFIT圧接テクノロジー、および、あらかじめ塗布する熱伝導材料(TIM)を利用したEasyDUAL™ 1B 1200V、23mΩのハーフブリッジモジュール
新世代のCoolSiC™ M1H製品FF17MR12W1M1HP_B11は近日発売予定です。
特長
- 大電流密度
- クラスでもっとも低いスイッチん損失と導通損失
- 低誘導設計
- RoHS対応モジュール
利点
- 高い効率により冷却を簡素化可能
- 高周波数動作
- 高い電力密度
- 顧客の開発サイクルとコストを最適化
図
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