FF23MR12W1M1P_B11

概要

デュアル 1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFET、サーミスタ(NTC)を搭載し、PressFIT圧接テクノロジー、および、あらかじめ塗布する熱伝導材料（TIM）を利用したEasyDUAL™ 1B 1200V、23mΩのハーフブリッジモジュール

新世代のCoolSiC™ M1H製品FF17MR12W1M1HP_B11は近日発売予定です。

特長

  • 大電流密度
  • クラスでもっとも低いスイッチん損失と導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS対応モジュール

利点

  • 高い効率により冷却を簡素化可能
  • 高周波数動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルとコストを最適化
図
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