FF23MR12W1M1P_B11

概要

デュアル 1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFET、サーミスタ(NTC)を搭載し、PressFIT圧接テクノロジー、および、あらかじめ塗布する熱伝導材料（TIM）を利用したEasyDUAL™ 1B 1200V、23mΩのハーフブリッジモジュール

特長:

  • 大電流密度
  • クラスでもっとも低いスイッチん損失と導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS対応モジュール

利点:

  • 高い効率により冷却を簡素化可能
  • 高周波数動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルとコストを最適化

ターゲットアプリケーション:

図
トレーニング
29:16

How to choose gate driver for SiC MOSFETs and SiC MOSFET modules

Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.

サポート

当社の技術サポートが、英語、ドイツ語、中国語にて質問に対するサポートを行います。

サポートは年中無休でフリーダイヤルにて受け付けています。