FF17MR12W1M1H_B11 1200 V CoolSiC™ MOSFET搭載ハーフブリッジモジュール
概要
1200 V/17 mΩ EasyDUAL™ 1B パッケージ搭載 CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジモジュール: NTC温度センサー、PressFITピン搭載
特長
- 最高クラスの高さ12 mmのパッケージ
- 最先端WBG材料とEasyモジュールパッケージの組合せ
- きわめて低い浮遊インダクタンス
- 広い逆バイアス安全動作領域 (RBSOA)
- 進化した1200V CoolSiC™ MOSFET M1Hテクノロジー
- 推奨ゲート駆動電圧範囲を+15 ～ +18 Vおよび0 V ～ -5 Vに拡大
- 最大ゲートソース間電圧を+23 V/-10 Vに拡大
- 過負荷状態でのTvjopが175℃まで向上
- PressFITピン
- NTC温度センサーを搭載
利点
- 卓越したモジュール効率により、システムコストの優位性を実現
- システム効率向上による冷却コストの低減
- 高周波駆動により電力密度を向上
- システムコスト低減による最高のコストパフォーマンス
図
サポート
