FF23MR12W1M1_B11

概要

デュアル1200V CoolSiC™ MOSFETモジュール

CoolSiC™ MOSFET、NTC温度センサを備え、PressFIT接続技術を採用したEasyDUAL™ 1B 1200V 23mΩハーフブリッジモジュールCoolSiC™ MOSFET、NTC温度センサを備え、PressFIT接続技術を採用したEasyDUAL™ 1B 1200V 23mΩハーフブリッジモジュール

新世代のCoolSiC™ M1H製品FF17MR12W1M1H_B11は近日発売予定です。

特長

  • 高い電流密度
  • クラス最高のスイッチング損失と導通損失
  • 低インダクタンス設計
  • RoHS準拠モジュール

利点

  • 高い効率により冷却要求が低減
  • より高い周波数で動作
  • 電力密度の向上
  • お客様の開発サイクルタイムとコストを最適化
図
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