FF11MR12W1M1P_B11

概要

CoolSiC™ MOSFETを備えたデュアル1200Vモジュール

EasyDUAL™ 1B 1200 V, 11 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET, NTC, pre-applied Thermal Interface Material and PressFIT Contact Technology.

特長

  • 高い電流密度
  • クラス最高のスイッチング損失と導通損失
  • 低インダクタンス設計
  • RoHS準拠モジュール

利点

  • 高い効率により冷却要求が低減
  • より高い周波数で動作
  • 電力密度の向上
  • お客様の開発サイクルタイムとコストを最適化
図
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