FF11MR12W1M1P_B11
概要
CoolSiC™ MOSFETを備えたデュアル1200Vモジュール
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 11 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET, NTC, pre-applied Thermal Interface Material and PressFIT Contact Technology.
新世代のCoolSiC™ M1H製品FF8MR12W1M1HP_B11は近日発売予定です。
特長
- 高い電流密度
- クラス最高のスイッチング損失と導通損失
- 低インダクタンス設計
- RoHS準拠モジュール
利点
- 高い効率により冷却要求が低減
- より高い周波数で動作
- 電力密度の向上
- お客様の開発サイクルタイムとコストを最適化
図
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