FF11MR12W1M1_B70

概要

1200 V CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジ モジュール

PressFITコンタクト技術および窒化アルミニウムセラミックを採用したCoolSiC™ MOSFET、NTC搭載1B 1200V/11 mΩ EasyDUAL™ ハーフブリッジモジュール。

新世代のCoolSiC™ M1H製品FF8MR12W1M1H_B70は近日発売予定です。

特長

  • 高性能窒化アルミニウムセラミック
  • 1200VのCoolSiC™トレンチMOSFET技術
  • クラス最高のEasyモジュールパッケージ
  • ハーフブリッジ構成
  • PressFITピン技術

利点

  • DCB材料の熱伝導性の向上 - RthJH40%向上
  • Power density and compact design
  • CoolSiC™ MOSFETのゲート酸化膜の優れた信頼性
  • モジュールとヒートシンク間の空乏化を最小化 
  • インバータ設計における高い自由度
  • 長寿命かつ冷却の手間を低減
図
シミュレーション
IPOSIM – Infineon Online Power Simulation Tool

1200 V CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジ モジュール

PressFITコンタクト技術および窒化アルミニウムセラミックを採用したCoolSiC™ MOSFET、NTC搭載1B 1200V/11 mΩ EasyDUAL™ ハーフブリッジモジュール。

新世代のCoolSiC™ M1H製品FF8MR12W1M1H_B70は近日発売予定です。

特長

  • 高性能窒化アルミニウムセラミック
  • 1200VのCoolSiC™トレンチMOSFET技術
  • クラス最高のEasyモジュールパッケージ
  • ハーフブリッジ構成
  • PressFITピン技術

利点

  • DCB材料の熱伝導性の向上 - RthJH40%向上
  • Power density and compact design
  • CoolSiC™ MOSFETのゲート酸化膜の優れた信頼性
  • モジュールとヒートシンク間の空乏化を最小化 
  • インバータ設計における高い自由度
  • 長寿命かつ冷却の手間を低減
トレーニング
Share
サポート