F3L11MR12W2M1_B65

概要

3レベル1200V CoolSiC™ モジュール

CoolSiC™ MOSFET、NTC温度センサ、PressFIT圧接技術を使用した先進NPCトポロジー(ANPC)のEasyPACK™ 2B 1200V, 11mΩ 3レベルモジュール

インフィニオンが1位に!

ドイツの「Elektronik」誌が発表した2020年リーダーズチョイスアワードのパワー部門で、インフィニオンのF3L11MR12W2M1_B65が選ばれました。

特長

  • フル耐圧DC1500V（1200V スイッチ）
  • 高い電流密度
  • クラス最高レベルのスイッチング損失および導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS対応モジュール

利点

  • 高効率のため冷却設計の簡素化が可能
  • 高周波数動作
  • 高い電力密度
  • 開発サイクルの時間とコストを最適化
図
シミュレーション
ビデオ

Power semiconductor solutions for 1500 V solar string inverters

6:14

Learn about the recent trends in 1500 Volt PV system and comprehensive solution for the 1500 Volt PV market.

How to choose gate driver for SiC MOSFETs and SiC MOSFET modules

29:16

Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.

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