リアルとデジタルの世界をひとつにDF11MR12W1M1P_B11
概要
ブースター1200V CoolSiC™ MOSFETモジュール
EasyPACK™ 1B 1200V、11mΩブースターモジュールは、CoolSiC™ MOSFET、NTC、あらかじめ塗布した熱伝導材料、PressFIT圧接テクノロジーを備えており、昇圧段のCoolSiC™ショットキーダイオードの定格電流が向上しているため、PVパネルからより高い入力電流が得られます。
新世代のCoolSiC™ M1H製品DF8MR12W1M1HF_B67は近日発売予定です。
特長
- 高い電流密度
- 同クラスで最も低いスイッチング損失と伝導損失
- 低インダクタンス設計
- NTC温度センサー内蔵
- PressFIT圧接テクノロジー
- RoHS対応モジュール
利点
- 高い効率により冷却要求が低減
- より高い周波数で動作
- 電力密度の向上
- お客様の開発サイクルタイムとコストを最適化
図
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