DF11MR12W1M1HF_B67 1200 V CoolSiC™ MOSFET ブースターモジュール

概要

EasyPACK™ 1Bパッケージ搭載 1200 V/33 mΩ CoolSiC™ MOSFET M1Hブースターモジュール：3つのMPPT、NTCおよびPressFITピン搭載

特長

  • 最高クラスの高さ12 mmのパッケージ
  • 最先端WBG素材とEasyモジュールパッケージの組合せ
  • きわめて低い浮遊インダクタンス
  • 広い逆バイアス安全動作領域 (RBSOA)
  • 進化した1200 V CoolSiC™ MOSFETM1Hテクノロジー
  • 推奨ゲート駆動電圧範囲を+15 V～+18 Vおよび0 V～-5 Vに拡大
  • 最大ゲートソース間電圧を+23 V/-10 Vに拡大
  • 過負荷状態でのTvjopが175℃まで向上
  • PressFITピン
  • NTC温度センサーを搭載

利点

  • 卓越したモジュール効率により、システムコストの優位性を実現
  • システム効率向上による冷却コストの低減
  • 高周波駆動により電力密度を向上
  • システムコスト低減による最高のコストパフォーマンス
図
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