IMZ120R350M1H

TO247-4パッケージの1200V、350 mΩのCoolSiC™ SiC MOSFET は、高い性能と信頼性を併せもつよう最適化された最新のトレンチ構造の半導体プロセスです。IGBTやMOSFETなどのシリコン(Si)ベースの既存スイッチに比べ、SiC MOSFETは多くの利点があり、1200Vスイッチにおける低いゲート電荷とデバイス容量、整流に対する耐性が高いボディダイオード、温度非依存によるスイッチング損失の低さ、閾値に依存しないオン抵抗特性などがあります。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジ、DC/DCコンバータ、DC/DCインバータなどの、ハードスイッチングや共振スイッチングに最適です。