IMW120R350M1H
概要
TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFET
TO247-3パッケージのCoolSiC™ SiC MOSFET 1200V, 350mΩは、高い性能と信頼性を実現する最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチに比べて、SiC MOSFETはより多くの利点を提供します。こうした利点には、1200Vスイッチに見られる低いゲート電荷およびデバイス容量、内部整流保護ボディダイオードの逆回復損失がない、温度非依存のスイッチング損失、閾値非依存のオン抵抗特性などがあります。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバータ、DC/ACインバータなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングのトポロジーに適しています。
特長
- クラス最高レベルのスイッチング損失および導通損失
- ベンチマーク高しきい値電圧、Vth>4V
- ターンオフゲート電圧0Vによる簡単でシンプルなゲート駆動
- 広いゲートソース電圧範囲
- ハードコミューテーション耐性の高い堅牢で低損失なボディダイオード
- 温度非依存のターンオフスイッチング損失
利点
- 高効率
- 冷却構造の簡略化
- 高周波数動作
- 高い電力密度
- システムの複雑さの軽減
図
トレーニング
サポート