IMW120R020M1H

概要

TO247-3 パッケージ搭載 120)V/20mΩ CoolSiC™ SiCトレンチMOSFET

TO247-3 パッケージ搭載のCoolSiC™ 1200V/20 mΩ SiC MOSFET は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。

特長

  • クラス最高のスイッチング損失および導通損失
  • ベンチマークとなる高い閾値電圧　Vth > 4 V
  • 0 Vのゲートオフ電圧によりシンプルなゲート駆動が可能
  • 広いゲート電圧範囲
  • ハードスイッチングに対応した堅牢で低損失なボディダイオード定格
  • ターンオフ損失の温度依存無し
  • .XT 技術によるクラス最高の熱性能

利点

  • 最高の効率
  • 冷却の手間を省略
  • 高周波数駆動
  • 電力密度向上
  • システムの複雑性を軽減
Product iamage of the SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
図
トレーニング
CoolSiC™ MOSFET in servo drive application

This training will introduce you to how the CoolSiC™ will help to design the next generation of servo drives.

If you want to be an expert of CoolSiC™ discretes and the .XT technology, watch this video!

Driving a CoolSiC™ MOSFET is much easier than you think. This training will show you how it can be driven with a 0 V turn-off gate voltage.

With the growing market of electrical vehicles, the industry has put forward more requirements for the performance of charging piles. This e-learning will show you that the emergence of CoolSiC™ MOSFETs has improved the charging pile industry to make the EV charger smaller, faster and with higher efficiency.

This training helps you understand how to optimize devices’ behavior in their applications with Infineon’s SPICE Compact Models for CoolSiC™ MOSFETs.

In this video, you will focus on the comparison of the power handling capacity of IGBTs and SiC MOSFETs. Go through the different aspects that need to be considered when dimensioning an IGBT or a MOSFET for a certain application.

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