IMBG120R234M2H CoolSiC™ MOSFET ディスクリート1200 V G2、TO-263-7パッケージ

概要

D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージの 1200 V/234 mΩ CoolSiC™ MOSFET ディスクリートG2は、第1世代の技術がもつ強みを活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性のソリューションのシステム設計を加速させられます。第２世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチング動作とソフトスイッチング トポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善されています。

特長

  • RDS(on) = 233.9 mΩ @ VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • きわめて低いスイッチング損失
  • 過負荷時の最大温度 Tvj = 200°C
  • 短絡耐量 2 µs
  • 業界標準となる閾値電圧、VGS(th)=4.2V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能
  • 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
  • .XT相互接合技術によりクラス最高の放熱性能

利点

  • 高いエネルギー効率
  • 冷却の最適化
  • 高電力密度
  • 新しい堅牢性
  • 高い信頼性
図
サポート