IMBG120R034M2H TO-263-7 (D2PAK-7L) パッケージの1200 V/34 mΩCoolSiC™ MOSFETディスクリートG2
概要
TO-263-7 (D2PAK-7L) パッケージの1200 V/34 mΩ CoolSiC™ MOSFET G2ディスクリートは、第1世代の技術がもつ強みを活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性のソリューションのシステム設計を加速します。CoolSiC™ MOSFET G2ディスクリートは、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要特性が大幅に改善されています。
特長
- RDS(on) = 34 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C)
- きわめて低いスイッチング損失
- 過負荷時の最大温度 Tvj = 200°C
- 短絡耐量 2 µs
- B業界標準となる閾値電圧、VGS(th) = 4.2 V
- 寄生ターンオンに対する堅牢性
- 0Vターンオフゲート電圧を印加可能
- 整流時に備えた堅牢なボディダイオード
- .XT相互接合技術
利点
- 高いエネルギー効率
- 冷却の最適化
- 高電力密度
- 新しい堅牢性
- 高い信頼性
図
サポート