シリコンカーバイド CoolSiC™ MOSFET
インフィニオンのCoolSiC™半導体ソリューションは、エネルギースマートな世界に向けた次の重要なステップです。
シリコンカーバイド CoolSiC™ MOSFET サブカテゴリー
インフィニオンは、量産の経験と互換性のノウハウに基づき、革新的なCoolSiC™MOSFET技術を導入し、根本的に新しい製品設計を可能にします。 IGBTやMOSFETなどの従来のSiベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。 CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、1200Vターゲット太陽電池インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵です。 CoolSiC™MOSFETは、これまでにないレベルの効率とシステムの柔軟性を実現するシステム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。
顧客に拡張されたパフォーマンスレベルを提供するための新素材の強化
シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。
IGBTやMOSFETなどの従来のシリコン（Si）ベースの高電圧（> 600V）スイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。これには、1200Vスイッチで見られる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン状態特性が含まれます。
インフィニオンの独自の1200V SiC MOSFETは、さらなる利点をもたらします。最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチングと導通損失、最高レベルのトランスコンダクタンス（ゲイン）、Vth = 4 Vのスレッショルド電圧と短絡耐性により、優れたゲート酸化物の信頼性が実現します。
これにより、標準ドライバを使用してIGBTのように駆動できるLLCおよびZVSのようなハードおよび共振スイッチングトポロジに理想的な堅牢なSiC MOSFETが得られます。 Siベースのスイッチで到達不可能なスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、高密度化、高寿命化を実現します。
Product line up
CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、太陽光発電インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵を対象としています。
TO-247-4pinパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソース（ケルビン接続）への追加接続が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。 その結果、特に高電流と高スイッチング周波数で、TO247-3pinバージョンよりもスイッチング損失が低くなります。 Easy1Bモジュールは、非常に良好な熱インタフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。
シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
変わりつつある商用車 - 電子化が引き起こす商用車・建機・農機ビジネスの変化
ウェビナー 商用車の電動化
CoolSiC™ MOSFET Webinars
Watch our webinar to discover more about technological positioning of silicon versus SiC and GaN power devices for both high and low power applications.
CoolSiC™ MOSFET Microlearnings
With the growing market of electrical vehicles, the industry has put forward more requirements for the performance of charging piles.
This e-learning will show you that the emergence of CoolSiC™ MOSFETs has improved the charging pile industry to make the EV charger smaller, faster and with higher efficiency.
This training will introduce you to how the CoolSiC™ will help to design the next generation of servo drives.
Driving a CoolSiC™ MOSFET is much easier than you think. This training will show you how it can be driven with a 0 V turn-off gate voltage.
With this training you will learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET, how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements and to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
See how to optimize devices’ behavior in their applications with Infineon’s SPICE Compact Models for CoolSiC™ MOSFETs.
In this video, you will focus on the comparison of the power handling capacity of IGBTs and SiC MOSFETs, Go through the different aspects that need to be considered when dimensioning an IGBT or a MOSFET for a certain application.
Get to know paralleling IGBT power modules with SiC MOSFETs can be exacerbated due to the much faster device switching speeds, motivation behind paralleling SiC MOSFET modules, key challenges and solutions for both gate driver and power layout design and optimized system loop inductance to minimize switching losses.
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Get know recent trends in 1500 Volt PV system, challenges and technical and gain educated comprehensive solution for the 1500 Volt PV market.
