SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™ MOSFET
SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™ MOSFET サブカテゴリー
SiC MOSFETソリューションは、“エネルギースマート”な世界に向けた重要な次のステップです。
インフィニオンは、豊富な経験、互換性に関するノウハウに基づいた革新的なCoolSiC™ MOSFET技術により、根本的に新しい製品設計を可能にします。IGBTやMOSFETのような従来のシリコンベースのスイッチと比較して、炭化ケイ素 (SiC) パワーMOSFETは一連の利点を提供します。1700V、1200V、650VのCoolSiC™ MOSFET製品の対象アプリケーションは、太陽光発電インバータ、バッテリー充電、エネルギー貯蔵、モータドライブ、UPS、補助電源、SMPSです。
SiC MOSFET技術
炭化ケイ素 (SiC) CoolSiC™ MOSFET技術は、システム設計者に、最高の性能、信頼性、使いやすさを提供します。炭化ケイ素 (SiC) パワー トランジスタは、新たな柔軟性をもたらし、かつてないレベルの効率性と信頼性を活かしています。高耐圧CoolSiC™ MOSFET技術は、逆回復特性においても目覚ましい改善を提供します。
CoolSiC™製品
インフィニオンの炭化ケイ素 (SiC) CoolSiC™ MOSFETは、高効率と最適な信頼性を提供します。インフィニオンの製品ラインナップは、ディスクリートパッケージのほか、電圧クラス650V、1200V、1700Vのモジュールでも提供されています。SiC MOSFETパワーモジュールは、3レベル、4パック、ハーフブリッジ、6パック、ブースターのトポロジーで提供しています。シリコンカーバイド製CoolSiC™ MOSFETの製品群には、以下のものがあります。
CoolSiC™ MOSFETには、一連の利点があります。SiCスイッチにおいてみられる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低いスイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオンステート特性が含まれます。
インフィニオン独自のCoolSiC™MOSFETは、さらに利点を追加します。優れたゲート酸化膜の信頼性は、最先端のトレンチ設計、同クラスで最も低いスイッチング損失および導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth=4Vのしきい値電圧、短絡耐量によって実現されています。まさに信頼できる革命です。
これにより、LLCやZVSのようなハードスイッチングや共振スイッチングのトポロジーに最適で、使いやすいドライバでIGBTやMOSFETのように駆動することができる、堅牢なSiC製のMOSFET技術が実現されています。高いスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、電力密度の向上、高い寿命信頼性を可能にします。
Product line up
CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、太陽光発電インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵を対象としています。
TO-247-4pinパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソース（ケルビン接続）への追加接続が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。 その結果、特に高電流と高スイッチング周波数で、TO247-3pinバージョンよりもスイッチング損失が低くなります。 Easy1Bモジュールは、非常に良好な熱インタフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。
The world’s first high-performance 1200 V CIPOS™ Maxi SiC IPM in the smallest and most compact package
CoolSiC™ MOSFET based CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the world’s first 1200 V transfer molded silicon carbide IPM which integrated an optimized 6-channel 1200V SOI gate driver and 6 CoolSiC™ MOSFETs.
The smallest and most compact package in 1200 V class, IM828-XCC combines a power rating in excess of 4.8 kW with exceptional power density, reliability and performance.
> Discover more information about CIPOS™ Maxi
シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
CoolSiC™ MOSFET Microlearnings
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
With the growing market of electrical vehicles, the industry has put forward more requirements for the performance of charging piles.
This e-learning will show you that the emergence of CoolSiC™ MOSFETs has improved the charging pile industry to make the EV charger smaller, faster and with higher efficiency.
This training will introduce you to how the CoolSiC™ will help to design the next generation of servo drives.
Driving a CoolSiC™ MOSFET is much easier than you think. This training will show you how it can be driven with a 0 V turn-off gate voltage.
With this training you will learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET, how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements and to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
In this video, you will focus on the comparison of the power handling capacity of IGBTs and SiC MOSFETs, Go through the different aspects that need to be considered when dimensioning an IGBT or a MOSFET for a certain application.
- Distinguish the features and benefits of Infineon’s CoolSiC™ solutions in target applications and identify Infineon’s fully scalable CoolSiC™ portfolio to meet this automotive market transition
- Explain the reasons for the increasing introduction of silicon carbide technology in the automotive applications
Infineon offers trusted expertise in all 3 main power semiconductor technologies. Check out how to position them in AC-DC applications!
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