シリコンカーバイド(SiC) CoolSiC™ MOSFET
インフィニオンのSiCパワー半導体ソリューション ー エネルギースマートな世界への重要なステップ
シリコンカーバイド(SiC) CoolSiC™ MOSFET サブカテゴリー
SiC MOSFETは 、IGBTやMOSFET等の従来のSiベースのスイッチと比較すると多くの利点を持っています。これにより製品設計のブレークスルーを可能にします。インフィニオンは、過去30年間で培ったSiC(シリコンカーバイド)の研究開発及び量産のノウハウに基づき、革新的なSiC MOSFET技術の製品(CoolSiC™ MOSFET)を提供します。
CoolSiC™MOSFETは、1700V、1200V、650Vの製品に利用可能です。ターゲットとなるアプリケーションは、太陽光発電インバータ、バッテリー充電、エネルギー貯蔵、モータードライブ、UPS、補助電源、SMPS等です。
CoolSiC™MOSFETは、これまでにないレベルの効率やシステムの信頼性・柔軟性の実現に貢献します。
これまでにないレベルの効率性と信頼性が実現可能に
インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、多くの利点を提供します。具体的には、SiC製品の中で最も低いレベルのゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン状態特性などです。
更にCoolSiC™ MOSFETでは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチングと導通損失、最高レベルのトランスコンダクタンス（ゲイン）、Vth = 4 Vのスレッショルド電圧と短絡耐性により、優れたゲート酸化物の信頼性が実現しています。
これにより、標準ドライバを使用してIGBTのように駆動できるLLCおよびZVSのようなハードおよび共振スイッチングトポロジに理想的な堅牢なSiC MOSFETが得られます。 Siベースのスイッチで到達不可能なスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、高密度化、高寿命化を実現します。
Product line up
CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、太陽光発電インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵を対象としています。
TO-247-4pinパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソース（ケルビン接続）への追加接続が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。 その結果、特に高電流と高スイッチング周波数で、TO247-3pinバージョンよりもスイッチング損失が低くなります。 Easy1Bモジュールは、非常に良好な熱インタフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。
The world’s first high-performance 1200 V CIPOS™ Maxi SiC IPM in the smallest and most compact package
CoolSiC™ MOSFET based CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the world’s first 1200 V transfer molded silicon carbide IPM which integrated an optimized 6-channel 1200V SOI gate driver and 6 CoolSiC™ MOSFETs.
The smallest and most compact package in 1200 V class, IM828-XCC combines a power rating in excess of 4.8 kW with exceptional power density, reliability and performance.
> Discover more information about CIPOS™ Maxi
シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
変わりつつある商用車 - 電子化が引き起こす商用車・建機・農機ビジネスの変化
ウェビナー 商用車の電動化
CoolSiC™ MOSFET Microlearnings
With the growing market of electrical vehicles, the industry has put forward more requirements for the performance of charging piles.
This e-learning will show you that the emergence of CoolSiC™ MOSFETs has improved the charging pile industry to make the EV charger smaller, faster and with higher efficiency.
This training will introduce you to how the CoolSiC™ will help to design the next generation of servo drives.
Driving a CoolSiC™ MOSFET is much easier than you think. This training will show you how it can be driven with a 0 V turn-off gate voltage.
With this training you will learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET, how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements and to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
See how to optimize devices’ behavior in their applications with Infineon’s SPICE Compact Models for CoolSiC™ MOSFETs.
In this video, you will focus on the comparison of the power handling capacity of IGBTs and SiC MOSFETs, Go through the different aspects that need to be considered when dimensioning an IGBT or a MOSFET for a certain application.
Learn about the motivation behind paralleling SiC MOSFET modules, what are the key challenges and solutions for both gate driver and power layout design and get familiar with optimized system loop inductance to minimize switching losses.
Recognize the motivation behind paralleling of the SiC MOSFET modules, as well as key challenges and solutions for both gate driver and power layout design. Learn about optimized system loop inductance to minimize switching losses solution.
Get know recent trends in 1500 Volt PV system, challenges and technical and gain educated comprehensive solution for the 1500 Volt PV market.
