OptiMOS™リニアFET 100V／150V／200V

OptiMOS™ 5 100V、1.7mΩのパワーMOSFETの安全動作領域が0.5Aであるのに対して、同じR _DS(on)のOptiMOS™ Linear FETでは、11.5A （@54V, 10ms)のより広いSOAを実現しています。

OptiMOS™ リニアFET 100Vは、競合同等製品と比べて、R _DS(on)を最大58%低減しています。さらに、テレコムシステムで一般的な出力電圧範囲である48V～56Vでの計測において、より広いSOAを実現しています。

OptiMOS™ Linear FETは、3種類の電圧クラス（100V、150Vおよび200V）で、D ²PAKまたはD ²PAK 7ピンパッケージで提供しています。

このトレーニングでは、OptiMOS™リニアFETの技術的原理、および標準のトレンチMOSFETとの主な相違について説明します。

このトレーニングは、 OptiMOS™ファミリー内でのリニアFETの位置づけ、製品ポートフォリオ、主な性能パラメータ、主な特長およびメリットを扱います。