OptiMOS™リニアFET

概要

低オン抵抗RDS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立

OptiMOS™ Linear FETは、オン抵抗（R DS(on)）とリニアモード性能とのトレードオフを回避する革新的な方式、すなわちエンハンストモードMOSFETの飽和領域での動作を可能にします。最新技術によるトレンチMOSFETのR DS(on) と、標準的なプレーナ型MOSFETの広い安全動作領域を両立しています。

この製品は、テレコムやバッテリ管理システムでよく使われるホットスワップやEヒューズアプリケーションに最適です。OptiMOS™ Linear FETは、高い突入電流を制限して、負荷の損傷を防止します。

  • 広い安全動作領域 (SOA)
  • 低RDS(on)
  • 高い最大パルス電流と連続パルス電流
  • 複数のパッケージ: D²PAK、D²PAK 7ピン、TOLL、PQFN 5x6 および3.3x3.3

  • 堅牢なリニアモード動作
  • 低い導通損失
  • 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現
  • 互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能

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