OptiMOS™ 5 と IR MOSFET™ 60V/80V/100Vのロジックレベル

概要

低V_GSのための新しいロジックレベルMOSFET

インフィニオンのロジックレベルで動作するPQFN 3.3x3.3パッケージのOptiMOS™ 5 パワーMOSFETおよびPQFN 2x2パッケージのIR MOSFET™は、3種類の電圧クラス（60V、80Vおよび100V）で提供しており、ワイヤレス給電、テレコム、アダプタアプリケーションに最適です。

このデバイスではゲート電荷（Q _g）が低いため、導通損失を増加させることなく、スイッチング損失を低減しています。性能指数の改善により、高いスイッチング周波数での動作が可能になっています。さらに、ロジックレベル駆動のためにゲートしきい値電圧（V _GS(th)）が低くなっており、このMOSFETは、5Vでマイクロコントローラから直接駆動することができます。

この製品は、ゲート電荷が低いにもかかわらず、競合同等製品よりも低いR _DS(on)を実現しています。

製品

ハイライト

詳細

推奨ドキュメント

主な特長

小さいパッケージで低いR _DS(on)
より低いゲート電荷
より低い出力電荷
ロジックレベル互換
小型のPQFN 2x2 パッケージ

主な利点

より高い電力密度の設計
より高いスイッチング周波数で使用可能
5V電源供給の場合、部品点数削減
マイクロコントローラから直接駆動可能（低速スイッチング）
システムコスト低減
スペースの要求が厳しいアプリケーション向けにPQFN 2x2パッケージできわめて小さいフォームファクタを実現

アプリケーション

OptiMOS™ 5 の60V、80Vおよび100Vにおける
R DS(on)の比較

IR MOSFET™ 60V、80Vおよび100Vにおける
R DS(on)の比較

技術資料他

ボード

ソフトウエア&ツール

シミュレーション

ビデオ

パートナー

トレーニング

ワイヤレス給電選択ツール

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