IRFS31N20D 概要 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package 利点 RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design お使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。 パラメータ 技術資料他 注文 ボード ソフトウエア&ツール シミュレーション ビデオ パートナー トレーニング パッケージング 品質 サポート お問合せ