IRF9910 概要 20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package 利点 RoHS Compliant Low RDS(ON) at 4.5V VGS Very Low Gate Charge Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Dual N-Channel MOSFET お使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。 パラメータ 技術資料他 注文 ボード ソフトウエア&ツール シミュレーション ビデオ パートナー トレーニング パッケージング 品質 サポート お問合せ