IRF8910 概要 20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package 利点 RoHS Compliant Low RDS(on) Low RDS(ON) at 4.5V VGS Ultra-Low Gate Impedance Dual N-Channel MOSFET お使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。 パラメータ 技術資料他 注文 ボード ソフトウエア&ツール シミュレーション ビデオ パートナー トレーニング パッケージング 品質 サポート お問合せ