IQE006NE2LM5CG

概要

業界トップレベルのRDS(on)を備えたPQFN 3.3×3.3ソースダウンセンターゲートパッケージのOptiMOS™ 25V 低電圧パワーMOSFET

インフィニオンの革新的なソースダウンテクノロジーにより、OptiMOS™ 低電圧パワーMOSFET（IQE006NE2LM5CG）はセンターゲートフットプリントバージョンとして利用できます。ゲートをフットプリントの中央に配置すると、ソース接続が最適化されます。センターゲートではドレイン・ソース間の沿面距離が拡大されるため、センターゲートフットプリントは、最適化され、容易に並列化できるMOSFETの利点をもたらします。これにより、複数のデバイスのゲートを単一のPCB層で接続することが可能になるため、電流容量が改善され、結果的に出力レベルが向上します。また、ソースダウンセンターゲートフットプリントは、高システム効率と高電力密度をもたらします。

特長

  • 電圧クラスに応じて最大30パーセントのRDS(on) 低減
  • 優れた温度管理オプション
  • 最適化されたレイアウト可能性
  • 2つのフットプリントバージョンを利用可能

利点

  • 電流容量の向上
  • 最高の電力密度と性能
  • フォームファクタの縮小
  • より小さなパッケージでSuper SO8と同じ性能
  • 最適化されたPCB寄生容量
  • RthJAとRthJCの減少
  • 電力損失の伝達を改善
  • 両面冷却に対応（露出されたクリップ）
  • ソースダウンは既存のPCBで容易に適応可能
  • センターゲートオプションにより最適化された並列化が可能

推奨アプリケーション例

補完製品
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トレーニング
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Discover MOSFET package cooling concepts

Key takeaways:

  • Know the various MOSFET package cooling concepts
  • Understand how each type works
  • Be familiar with the pros and cons
  • Be aware of the applications where each sees benefit
  • Have knowledge of the products that Infineon offers for each concept

Introducing the innovative Source-Down package for improved thermal management

Infineon e-learning Source Down technology photo

Key takeaways:

  • Understand the Source-Down concept
  • Know the Source-Down package performance compared to a conventional Drain-Down
  • Get to know the key benefits of the Source-Down package and its value proposition
品質

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