IPD95R1K2P7
概要
最新の950 V CoolMOS™P7技術は、高耐圧MOSFET分野で増大する消費者ニーズを満たすよう設計されており、低電力SMPS市場に焦点を当てています。
950 V CoolMOS™P7シリーズは、従来の900 V CoolMOS™ C3よりも50V高いブロッキング電圧を提供し、効率、熱挙動、使いやすさの点で優れた性能を発揮します。 950 V CoolMOS™ P7シリーズには、他のすべてのP7ファミリーメンバー同様に、内蔵ツェナーダイオードによりESD保護を提供します。 内蔵ダイオードにより、ESD耐量が大幅に向上するため、ESD関連の歩留まり損失が減少し、きわめて扱いやすくなっています。 CoolMOS™ P7は、クラス最高の3 VのVGS（th）とわずか±0.5 Vの狭い許容差で開発されており、駆動および設計を簡単に行うことができます。
特長
- クラス最高の性能指標(FOM) RDS(on) Eoss; 低い Qg、Ciss、Coss
- クラス最高のDPAK RDS(on): 450 mΩ
- クラス最高のVGS(th): 3 V; 最小のVGS(th)刻み幅：±0.5 V
- 内蔵ツェナーダイオードによる最高クラス2（HBM）までのESD保護
- クラス最高の品質及び信頼性
利点
- CoolMOS™ C3に比べ、効率が最大1%向上し、MOSFETの温度が2℃～10℃低下
- 高電力密度設計、BOM削減、アセンブリーコストの削減が可能
- 駆動およびデザインインが容易
- ESDによる不具合を削減することによる歩留まりの向上
- 製造上の問題や返品の低減
推奨アプリケーション例
ビデオ
サポート
