ソースダウン
概要
OptiMOS™パワーMOSFETソースダウンファミリー、PQFN (Power Quad Flat No-lead)で業界トップのRDS(on)と優れた熱性能を実現
インフィニオンのOptiMOS™低電圧パワーMOSFETは、ソースダウン技術により、革新的で高性能なPQFNパッケージ コンセプトを実現しています。この新しいパッケージでは、コンポーネント内でのシリコンの上下が反転しています。これにより、ドレイン電極ではなく、ソース電極がサーマルパッド越しに
OptiMOS™ パワーMOSFET 3.3 x 3.3 mm2 ソースダウンパッケージは、BSC (底面冷却) およびDSC (両面冷却) で25 V～150 Vの範囲での提供になります。
この新技術は、ソースダウン版と、並列配置に特化したソースダウン センターゲート版の2種類のパッケージ展開になります。ソースダウンは、他のソリューションに比べ、低いRDS(on)や高い放熱性などの利点があります。さらに、ソースダウン構造は、アクティブ冷却や熱管理により効果的なレイアウトを実現しています。ソースダウン構造のPQFN (3.3mm x 3.3㎜) パッケージに封止されたOptiMOS™低電圧パワーMOSFETファミリーのターゲットアプリケーションは、モータコントロールおよびドライブ、テレコム、SMPS、サーバーです。
主な特長
- 小型パッケージで低RDS(on)を実現
- 低ゲート電荷
- スーパー ロジック レベル (2.5 V)、ロジックレベル (4.5 V) 対応
主な利点
- ボードの小型化
- スイッチング損失および駆動損失の低減
- ゲートドライブの柔軟性
主な特長:
- 小型パッケージで低RDS(on) を実現
- 低ゲート電荷
- スーパー ロジック レベル (2.5 V)、ロジックレベル (4.5 V) 対応
- 両面冷却に対応 (露出クリップ)
主な利点
- ボードの小型化
- スイッチング損失および駆動損失の低
- ゲートドライブの柔軟性
- オーバーモールドタイプに比べ、電力消費の低減を実現
インフィニオンの画期的なソースダウンパッケージの3D画像をご覧ください！
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