OptiMOS™ and StrongIRFET™ Latest Family Selection Guide

概要

A powerful combination for a broad range of needs

20V-300V NチャネルパワーMOSFETは、クラス最高の優れた性能を提供します。スイッチング周波数の高いアプリケーションにとって理想的な極めて低いオン抵抗（R DS(on)）と、高い効率性および電力密度を実現します。

StrongIRFET™ Power MOSFETsは、厳しい産業アプリケーション向けに設計されており、低いスイッチング周波数を使用する設計や、高い通電能力が必要な設計にも最適です。

このパワフル コンビネーションによって実現されること：

  • 10V～300Vの製品ポートフォリオの拡大
  • 幅広いニーズへの対応能力
  • クラス最高の技術
  • 優れた対費用効果
製品
詳細

推奨ドキュメント

ソフトウエア&ツール
シミュレーション
ビデオ

OptiMOS™ Linear FET

3:09

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area

Learn more

Wireless charging for consumer

3:59

Fuel the future with Infineon

Selection Tool Wireless Charging

With our selection tool you will find the right parts for your design requirements.

Learn more

Next Generation OptiMOS™ 5 150 V Power MOSFETs

2:05

Ideally suited for applications such as LV-drives, telecom and solar

OptiMOS™ 300V in D2PAK and TO-220

2:36

Extending the OptiMOS™ Portfolio from 20V up to 300V

OptiMOS™ 5 80V and 100V Power MOSFETs

3:14

Product Portfolio

OptiMOS™ 5 25V and 30V power MOSFETs

4:52

Introduction

OptiMOS™ 200V/250V Fast Diode power MOSFETs

4:58

Hard Commutation - Part 1 of 2

トレーニング
サポート