FZ800R45KL3_B5 4500 V 800 A シングルスイッチ IGBTモジュール

概要

IHV 4500 V, 1200 A 130 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and isolated AlSiC Base Plate.

特長

  • High DC Stability
  • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
  • High Dynamic Robustness
  • Low V(CEsat) with positive Temperature Coefficient
  • 10.2 kV AC Isolation
  • High Creepage and Clearance Distances

利点

  • High power density for compact inverter designs
  • Standardized housing
図
シミュレーション
サポート