FZ800R12KE3 1200 V 800 A シングルスイッチ IGBTモジュール

概要

62 mm 1200 V, 800 A single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode.

特長

  • Low switching losses
  • Unbeatable robustness
  • VCEsat with positive temperature coefficient
  • Low VCEsat
  • 4 kV AC 1 min insulation
  • Package with CTI > 400
  • High creepage and clearance distances
  • High power density
  • Isolated base plate
  • Standard housing

利点

  • Flexibility
  • Optimal electrical performance
  • Highest reliability
図
シミュレーション
サポート