FS3L200R10W3S7F_B94 950 V/200 A 3レベルIGBTモジュール
概要
950V/200 AデュアルブーストIGBTモジュール：1200V CoolSiC™ ダイオード、TRENCHSTOP™ IGBT7、NTCおよびPressFITコンタクトテクノロジーを搭載。 F3L400R10W3S7F_B11およびF3L400R10W3S7_B11とともに、1500 V 三相PVストリング インバーター用のトータル ソリューションを提供します。
特長
- S7チップによる極めて低いスイッチング損失およびソフトターンオフ動作
- 1200 V CoolSiC™ ダイオードでIGBTのスイッチング損失を低減
- デュアル ブーストトポロジー、1モジュールに3つのMPPT回路を搭載
- MPPT回路毎にバイパス ダイオードと逆極性保護ダイオードを内蔵
- 比較トラッキング指数 (CTI) >400
- 革新的なメカニカルコンセプトでRthjhを低減
- Tvj op = 150°C
- ベースプレートレス設計
- PressFITピン
利点
- 定格電流26 A、スイッチング周波数16 kHzのMPPT入力を実現
- 2つのストリングを並列したヒューズレスMPPT入力に対応した設計
- 定格出力400 W以上の両面受光型太陽光発電モジュールに対応
- 十分な沿面距離を確保し、必要な絶縁要件に従ってテスト済み
- PressFITピンにより、はんだレス、高速組立で確実な接合を実現
図
トレーニング
Let’s learn more about how solar inverters work, from the ones we have in our houses, to the ones that are applied in major factories. We will also see how Infineon innovates in power semiconductors for solar inverter technology and how that can help with reducing costs and time to market.
サポート
