FF50R12RT4 1200 V 50 A デュアル IGBTモジュール

概要

34 mm 1200 V, 50 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode.

特長

  • Extended Operation Temperature T vj op
  • Low Switching Losses
  • Low VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat with positive Temperature Coefficient
  • Isolated Base Plate
  • Standard Housing

利点

  • Flexibility
  • Optimal electrical performance
  • Highest reliability
図
シミュレーション
サポート