FF150R12RT4 1200 V 150 A デュアル IGBTモジュール
概要
34 mm 1200 V, 150 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode.
特長
- Extended operation temperature Tvj op
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Tvj op = 150°C
- VCEsat with positive temperature coefficient
- Isolated base plate
- Standard housing
利点
- Flexibility
- Optimal electrical performance
- Highest reliability
図
シミュレーション
サポート



