FF150R12RT4 1200 V 150 A デュアル IGBTモジュール

概要

34 mm 1200 V, 150 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode.

特長

  • Extended operation temperature Tvj op
  • Low switching losses
  • Low VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat with positive temperature coefficient
  • Isolated base plate
  • Standard housing

利点

  • Flexibility
  • Optimal electrical performance
  • Highest reliability
図
シミュレーション
サポート