FF100R12RT4

概要

1200 V, 100 A dual IGBT module

34 mm 1200 V, 100 A dual switch IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode.

特長

  • Extended operation temperature Tvj op
  • Low switching losses
  • Low VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat with positive temperature coefficient
  • Isolated base plate
  • Standard housing

利点

  • Flexibility
  • Optimal electrical performance
  • Highest reliability

インフィニオンのEiceDRIVER™ HVゲートドライバファミリーもご覧ください 

たとえば、1EDI60I12AF EiceDRIVER™ compactは、お客様のIGBTモジュールアプリケーションに適した、高速で強力なゲートドライバです（評価ボードを提供可能）。

図
シミュレーション
サポート