IKZA75N65SS5
概要
650 V/75 A IGBTディスクリートおよびSiC ショットキーダイオード
650 V/75 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT S5とフル定格の第6世代CoolSiC™ショットキーダイオードをケルビンエミッタ端子付きのTO-247-4パッケージに搭載。
ハードスイッチング向けの650 V TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT技術は、10 kHz~40 kHzのスイッチングアプリケーションに対応し、高い制御性とスムーズなスイッチング動作により、高効率を実現するだけでなく、設計も容易です。
TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT技術とCoolSiC™ハイブリッドディスクリートのフリーホイールSiCショットキーバリアダイオードの組み合わせは、dv/dtとdi/dtの値がほとんど変わらない状態で、スイッチング損失をさらに低減します。
ケルビンエミッタ端子搭載のTO-247 4ピンパッケージは、ゲート超低インダクタンスなエミッタ制御ループを提供し、特にスイッチング周波数が高い場合のスイッチング性能をさらに向上させます。
特長
- TRENCHSTOP™ 5とCoolSiC™ダイオード技術、およびケルビンエミッタパッケージの組み合わせによる超低スイッチング損失
- きわめて低い導通損失
- ハード スイッチング トポロジーにおけるベンチマークとなるスイッチング効率
- 4ピンパッケージの最適化されたピンアウトにより、PCB設計を簡素化
- ターゲット アプリケーションのJEDEC規格に準拠
- RoHS対応の鉛フリー鉛メッキ
- JEDEC 47/20/22の関連テストに準拠し、産業用アプリケーション向けに認証を取得
利点
- 最高レベルの変換効率
- 冷却の手間を軽減
- 高い電力密度
- 既存のSi デバイスからプラグ&プレイで交換可能
- 既存の設計から容易にアップグレードできるため効率が向上
- 並列接続に最適
図
サポート