IKZA50N65SS5
概要
SiCショットキーダイオードを搭載した650 V/50 A IGBTディスクリート
650 V/50 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT H5と半電流定格の第 6 世代CoolSiC™ ショットキー バリアダイオードをケルビンエミッタ TO-247-4 パッケージに搭載しました。
650 VハードスイッチングTRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT技術は、10~40 kHzのスイッチングアプリケーションに対応し、高い制御性とスムーズなスイッチング動作により、高効率を実現するだけでなく、設計も容易です。
TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT技術とCoolSiC™ハイブリッドディスクリートのフリーホイール SiC ショットキーバリアダイオードの組み合わせは、dv/dtおよびdi/dt値がほぼ変わることなく、スイッチング損失を大幅に低減します。
ケルビンエミッタTO-247 4ピンパッケージは、ゲート エミッタ制御ループに超低インダクタンスを提供し、特に高いスイッチング周波数においてスイッチング性能をさらに向上させます。
特長
- TRENCHSTOP™ 5とCoolSiC™ ダイオード技術の組み合わせにケルビンエミッタパッケージを使用することにより、超低スイッチング損失を実現
- 非常に低いオン損失
- ハードスイッチング トポロジーにおける優れたスイッチング効率
- 4ピンパッケージの最適化されたピン配列によるプリント基板設計の簡素化
- JEDEC規格認証済み
- 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
- JEDEC 47/20/22の関連テストにより、産業用アプリケーションとして認定済み
利点
- 高いレベルの効率
- 高い電力密度
- 既存の純粋なシリコンデバイスをプラグ&プレイで交換可能
- 既存の設計から容易にアップグレードできるため効率が向上
- 冷却の手間を軽減
- 並列接続に最適
図
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