IGB50N65H5
概要
TO-263パッケージに収容された逆並列ダイオード付き650V 50A IGBT
D2Pak（TO263）パッケージに搭載の高速650V 50AハードスイッチングTRENCHSTOP™ 5 IGBTは、ハードスイッチングアプリケーションにおける高効率性能により「Best-in-class」IGBTの定義を書き換えます。
特長
- 650Vのブレークダウン電圧
- インフィニオンのHigh Speed 3ファミリーとの比較
- Qgが40％低減
- スイッチング損失が50％低減
- VCEsatが200mV低減
- インフィニオンの新たな高速シリコンダイオード技術と共に搭載
- 低COES／EOSS
- 穏やかな正の温度係数を持つVCEsat
- Vfの温度安定性
利点
- Best-in-classの効率が接合部ジャンクションおよびケース温度の低減につながり、デバイス信頼性が向上
- 信頼性を損なうことなくバス電圧を50V上昇させることが可能
- より高い電力密度の設計
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