600V/1200V high-speed IGBTs

概要

Discrete IGBTs Breaking the Switching-Speed-Limits in Various Topologies

Infineon's high speed IGBTs are optimized for the best trade off between switching and conduction losses, enable increase of the switching frequency (20 kHz --> 70 kHz) and reduction of active components leading to lower bill-of-material cost and smaller system size.

製品
ハイライト

1200 V discrete IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

The HighSpeed3 IGBT technology is a mature IGBT technology that has been released on the market several years ago. To meet customer requirements of the best efficiency and lowest power loses Infineon has developed a new generation of 1200 V discrete IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6. The 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6  was developed as easy plug & play replacement for predecessor 1200 V HighSpeed3 IGBT series. Direct replacement of 1200 V HighSpeed3 IGBT with S6 TRENCHSTOP™ IGBT6 allows up to 0.15% efficiency improvement without any change to the board design.

The 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT 6 is released in 2 product families – low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series.
詳細
主な特長 利点 主なアプリケーション
  • 周波数70kHz未満のスイッチングアプリケーションでのプレーナ型MOSFETの置き換えのために設計
  • 低いスイッチング損失により高効率
  • 定評あるインフィニオンのTRENCHSTOP™テクノロジーにより優れたV ce(sat)特性
  • 高速スイッチング特性と低いEMI放射
  • 対象アプリケーションに最適化されたダイオードによりスイッチング損失をさらに改善
  • 優れたスイッチング特性はそのままに低いゲート抵抗を選択可能（最小5Ωまで）
  • 短絡耐量
  • 175°CのT j(max)
  • 還流ダイオードの有無を選べるパッケージで設計の自由度向上
  • 優れた価格性能比
  • スイッチング損失と導通損失低減
  • 非常に良好なEMI特性
  • 低いゲート抵抗により遅延時間と電圧オーバシュートを低減
  • ダイの小型化によりパッケージ小型化
  • クラス最高のIGBT効率とEMI特性

 

 

 

 

 

 

 

 

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