600V/1200V high-speed IGBTs

概要

多様なトポロジーにおけるスイッチング速度の限界を超えたディスクリートIGBT

インフィニオンの高速IGBTは、スイッチング損失と導通損失間でのトレードオフを最適化しており、スイッチング効率の向上(20kHzから70kHz)、また構成部品数の削減による部品コストの削減やシステムサイズの小型化を実現します。

製品
ハイライト

1200 V discrete IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

1200V ディスクリートIGBT: TRENCHSTOP™ IGBT6 HighSpeed3 IGBTテクノロジーは、数年前に市場投入された成熟したIGBTテクノロジーです。インフィニオンは、高効率・低電力損失への要求に応えるため、新世代の1200V ディスクリートIGBT、TRENCHSTOP™ IGBT6を開発しました。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 は、1200V HighSpeed3 IGBTシリーズに対して、プラグアンドプレイの置き換えが可能な製品として開発されました。ボードを再設計することなく、1200Vの HighSpeed3 IGBTからS6 TRENCHSTOP™ IGBT6へ置き換えることにより、エネルギー効率が最大で0.15%向上します。n.

The 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT 6 is released in 2 product families – low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series.
詳細
主な特長 利点 主なアプリケーション
  • 周波数70kHz未満のスイッチングアプリケーションでのプレーナ型MOSFETの置き換えのために設計
  • 低いスイッチング損失により高効率
  • 定評あるインフィニオンのTRENCHSTOP™テクノロジーにより優れたV ce(sat)特性
  • 高速スイッチング特性と低いEMI放射
  • 対象アプリケーションに最適化されたダイオードによりスイッチング損失をさらに改善
  • 優れたスイッチング特性はそのままに低いゲート抵抗を選択可能（最小5Ωまで）
  • 短絡耐量
  • 175°CのT j(max)
  • 還流ダイオードの有無を選べるパッケージで設計の自由度向上
  • 優れた価格性能比
  • スイッチング損失と導通損失低減
  • 非常に良好なEMI特性
  • 低いゲート抵抗により遅延時間と電圧オーバシュートを低減
  • ダイの小型化によりパッケージ小型化
  • クラス最高のIGBT効率とEMI特性

 

 

 

 

 

 

 

 

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