ローサイドドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用シングルチャネルおよびデュアルチャネルローサイドゲートドライバIC
EiceDRIVER™ローサイドゲートドライバICは、高電圧ゲートドライバの堅牢な技術を活かした低電圧回路、および最新の0.13µmプロセスを利用しています。インフィニオンの世界レベルの製造技術により、業界標準のDSO-8および小型フォームファクタSOT23とWSONパッケージで、高電力密度アプリケーション向け大電流ゲートドライバを実現しています。
インフィニオンは、出力電流、論理構成、パッケージ、各種保護機能、たとえば低電圧ロックアウト(UVLO)、内蔵過電流保護(OCP)、真の差動入力(TDI)など柔軟性のあるオプションを備えた、シングルローサイドおよびデュアルローサイドゲートドライバICを提供しています。インフィニオンは、車載適合のローサイドゲートドライバも提供しています。
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インフィニオンおよびインターナショナル・レクティファイアーは、数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMTなどのシリコンおよびワイドバンドギャップパワーデバイス向けのゲートドライバICのポートフォリオを生み出してきました。インフィニオンは、ガルバニック絶縁されたゲートドライバ、車載適合のゲートドライバ、200V、500~700V、1200Vレベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。
インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションにわたっています。最新のディスクリートスイッチファミリーの能力や機能を完全に活用するためには、ゲートドライブ回路のチューニングが必要です。ディスクリートでも、パワーモジュールでも、あらゆるパワースイッチには、最適なゲートドライブ構成が不可欠です。
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In this training, we will help you increase efficiency by exploring in detail how to drive a high-speed power MOSFET.
このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.