IRS26302DJ

概要

Not recommended for new designs, no replacement is available

600 V Three Phase and Low Side Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 44 Lead PLCC package for IGBTs and MOSFETs.

特長

  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to negative transient voltage - dV/dt immune
  • Full three phase gate driver plus one low side driver
  • Undervoltage lockout for all channels
  • Cross-conduction prevention logic
  • Power-on reset
  • Integrated bootstrap diode for floating channel supply
  • Over current protection on: DC-(Itrip), DC+(Ground fault)
  • PFCtrip/BRtrip (PFC/Brake protection)
  • Single pin fault diagnostic function
  • Diagnostic protocol to address fault register
  • Self biasing for ground fault detection high voltage circuit
  • 3.3 V logic compatible
  • Lower di/dt gate drive for better noise immunity
  • Externally programmable delay for automatic fault clear
図
ビデオ

インフィニオンのゲートドライバのご紹介

インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。

トレーニング

IGBTディスクリートおよびモジュール向けゲートドライバの選択法

このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

ウェビナー：あらゆるスイッチにはドライバが必要であり、適切なドライバが重要です。

インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。

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