IR2109

概要

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown

600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.

For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2109S06F, providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

特長

  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to negative transient voltage
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply range from 10 to 20 V
  • Undervoltage lockout for both channels
  • 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched propagation delay for both channels
  • High side output in phase with IN input
  • Logic and power ground + /- 5 V offset
  • Internal 540ns dead-time
  • Lower di/dt gate driver for better noise immunity
  • Shut down input turns off both channels

推奨アプリケーション例

図
ソフトウエア&ツール
ビデオ
7:03

インフィニオンのゲートドライバのご紹介

インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。

9:21

EiceDRIVER™ 2EDL ドライバICファミリー

EiceDRIVER™ 2EDLは、レベルシフトSOI（Silicon On Insulator）テクノロジーに基づく、600VのハーフブリッジゲートドライバICファミリーです。超低抵抗ブートストラップダイオードを内蔵し、高効率で、小型ファクタのアプリケーションに対応します。

2:41

インフィニオンのSOIゲートドライバテクノロジーのメリット

市場リーダーによる1200V シリコンオンインシュレータ レベルシフトゲートドライバ。このビデオでは、インフィニオンのSOI製品のメリットを説明します。たとえば、内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失による省スペースやコスト削減があります。

トレーニング
30:25

IGBTディスクリートおよびモジュール向けゲートドライバの選択法

このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

58:35

ウェビナー：あらゆるスイッチにはドライバが必要であり、適切なドライバが重要です。

インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。

サポート