ハイサイドおよびローサイドドライバ
MOSFETおよびIGBT制御用ハイサイドおよびローサイドゲートドライバIC
専門家は、インフィニオンのゲートドライバICソリューションを選択します。インフィニオンは、インターロックされていない2つのチャネルを備えたハイサイドおよびローサイドゲートドライバを提供しています。
高電流（2.5A）および低電流（0.7A）オプションのある新製品、650V ハイサイドおよびローサイドシリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバICが加わりました。これらのゲートドライバは、優れた堅牢性とノイズ耐性を備えており、モータドライブ、家電、スイッチング電源、バッテリ駆動アプリケーション、大電力照明に最適です。
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代表的なハイサイドおよびローサイドドライバ接続図
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推奨ドキュメント
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
