EiceDRIVER™ 1ED

概要

1200Vのガルバニック絶縁シングルチャネル1EDIおよび1EDC (UL認証)Compactファミリ150ミルおよび300ミルパッケージ

EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300ミルファミリは、UL1577認証に必要な絶縁を実現し、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です。

機能的にガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ 1EDI Compact 150ミルおよび300ミルファミリがご利用可能です。 ワイドボディパッケージのオプションを提供し、8mm沿面距離の延長、熱的挙動の改善、ピンアウトの最適化を実現しています。

このようにガルバニック絶縁されたドライバは、コアレス変圧器(CT)技術に基づいており、100kV/μsの世界クラスの同相過渡電圧耐性（CMTI）を実現しています。ソース/シンク別々の出力ピンに最大10Aの電流駆動力を有するため、ソーラーストリングインバータ、電気自動車用充電ステーション、産業用駆動機器、溶接機器、誘導加熱機器 誘導加熱機器、サーバーおよび通信システム用の電源など、IGBTベースのアプリケーションに適しています。

製品
詳細

150ミルおよび300ミルパッケージのゲートドライバIC

1ED Compactファミリは、3つのサブファミリにそれぞれ9種類のバリエーションがあります。

  • 1EDx05I12AH/AF、1EDx20I12AH/AF、1EDx40I12AH/AF、および1EDx60I12AH/AFは、別々のソース/シンク出力ピンに0.9Aから10Aまでのゲートドライバの駆動強度を持ち、標準伝搬遅延は300nsです。
  • 1EDx20H(N) 12AH/AFおよび1EDx60H(N)12AH/AFは、伝搬遅延がわずか120nsで、高速IGBTおよびSiC MOSFET用途に最適です。
  • 内蔵アクティブミラークランプにより、1EDx10I12MH、1EDx20I12MH、1EDx30I12MHの出力電流は、1.7Aから5.2Aまでで、1EDI10I12MF、1EDI20I12MF、1EDI30I12MFは2.2Aから6.2Aです。
  • 1EDCファミリは、UL1577認証を取得しており、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です
  • 最適化されたピンにより、低インピーダンス電源用のPCB設計が容易になります。
  • すべてのドライバは、ハロゲンフリーとRoHS対応のワイドボディパッケージで提供されており、沿面距離は8mmです。

 

製品の機能

全製品とも、DSO8 150milおよび300milパッケージでご提供しております。 EiceDRIVER™を、CoolMOS™などのSuper-Junction MOSFET、IGBT、CoolSiC™などのシリコンカーバイド（SiC）MOSFET、IGBTモジュールと組み合わせることで、お客様の設計目標を達成します。

機能 アプリケーション
  • シングルチャネル高耐圧ゲートドライバIC
  • 1200V入出力絶縁電圧
  • 沿面距離8mmのDSO-8 300ミル ワイドボディパッケージ
  • 600V/650V/1200V IGBT、MOSFET、SiC MOSFETデバイスおよびモジュール
  • 最大10A（Typ.）の出力フルスイング
  • 高い周囲温度での動作に最適
  • 独立したソース/シンク出力またはアクティブミラークランプ
  • 100kV/μs以上のCMTI
  • 低インダクタンス電源に最適なピンアウト
  • マイコンとドライバ間で信号電圧レベルの調整不要
  • 短絡クランプ
  • アクティブシャットダウン
  • 汎用インバータ
  • 無停電電源(UPS)
  • 産業用モータ駆動機器
  • 太陽光インバータ
  • 電気自動車用の充電ステーション
  • 溶接装置
  • 商用車、建機および農機（CAV）

 

ご興味があると思われる情報

推奨ドキュメント

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高度保護機能を搭載したガルバニック絶縁ゲートドライバ

ガルバニック絶縁ゲートドライバEiceDRIVER™は、独自のコアレストランスフォーマ(CT)技術で、ガルバニック絶縁をまたぎ信号を伝送します。特にSiC MOSFETおよびGaN HEMT向けに、短絡保護、同相過渡電圧耐性(CMTI) 100kV/μs、アクティブミラークランプ、ソフトターンオフなどの機能を提供しています。

パートナー

ゲートドライバの紹介

製品ラインナップの詳細

トレーニング
  • The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS

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With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.

  • EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
  • The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

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