EiceDRIVER™ 1ED
1200Vのガルバニック絶縁シングルチャネル1EDIおよび1EDC (UL認証)Compactファミリ150ミルおよび300ミルパッケージ
EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300ミルファミリは、UL1577認証に必要な絶縁を実現し、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です。
機能的にガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ 1EDI Compact 150ミルおよび300ミルファミリがご利用可能です。 ワイドボディパッケージのオプションを提供し、8mm沿面距離の延長、熱的挙動の改善、ピンアウトの最適化を実現しています。
このようにガルバニック絶縁されたドライバは、コアレス変圧器(CT)技術に基づいており、100kV/μsの世界クラスの同相過渡電圧耐性（CMTI）を実現しています。ソース/シンク別々の出力ピンに最大10Aの電流駆動力を有するため、ソーラーストリングインバータ、電気自動車用充電ステーション、産業用駆動機器、溶接機器、誘導加熱機器 誘導加熱機器、サーバーおよび通信システム用の電源など、IGBTベースのアプリケーションに適しています。
150ミルおよび300ミルパッケージのゲートドライバIC
1ED Compactファミリは、3つのサブファミリにそれぞれ9種類のバリエーションがあります。
- 1EDx05I12AH/AF、1EDx20I12AH/AF、1EDx40I12AH/AF、および1EDx60I12AH/AFは、別々のソース/シンク出力ピンに0.9Aから10Aまでのゲートドライバの駆動強度を持ち、標準伝搬遅延は300nsです。
- 1EDx20H(N) 12AH/AFおよび1EDx60H(N)12AH/AFは、伝搬遅延がわずか120nsで、高速IGBTおよびSiC MOSFET用途に最適です。
- 内蔵アクティブミラークランプにより、1EDx10I12MH、1EDx20I12MH、1EDx30I12MHの出力電流は、1.7Aから5.2Aまでで、1EDI10I12MF、1EDI20I12MF、1EDI30I12MFは2.2Aから6.2Aです。
- 1EDCファミリは、UL1577認証を取得しており、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です
- 最適化されたピンにより、低インピーダンス電源用のPCB設計が容易になります。
- すべてのドライバは、ハロゲンフリーとRoHS対応のワイドボディパッケージで提供されており、沿面距離は8mmです。
製品の機能
全製品とも、DSO8 150milおよび300milパッケージでご提供しております。 EiceDRIVER™を、CoolMOS™などのSuper-Junction MOSFET、IGBT、CoolSiC™などのシリコンカーバイド（SiC）MOSFET、IGBTモジュールと組み合わせることで、お客様の設計目標を達成します。
| 機能 | アプリケーション |
|---|---|
|
|
ご興味があると思われる情報
The EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact family (1ED32xx), with two-level slew-rate control and Miller Clamp
2L-SRC optimizes the gate resistors for EMI measurements and for normal operation, compared with the conventional solution
Up to 18 A output current, 200 kV/µs CMTI, VDE 0884-11 & UL 1577, ideal for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7 in drive, solar, UPS, etc.
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
