EiceDRIVER™ 1EDC Compact 300ミルファミリは、UL1577認証に必要な絶縁を実現し、絶縁試験電圧はVISO=2500V(rms)(1分)です。

機能的にガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ 1EDI Compact 150ミルおよび300ミルファミリがご利用可能です。 ワイドボディパッケージのオプションを提供し、8mm沿面距離の延長、熱的挙動の改善、ピンアウトの最適化を実現しています。

このようにガルバニック絶縁されたドライバは、コアレス変圧器(CT)技術に基づいており、100kV/μsの世界クラスの同相過渡電圧耐性（CMTI）を実現しています。ソース/シンク別々の出力ピンに最大10Aの電流駆動力を有するため、ソーラーストリングインバータ、電気自動車用充電ステーション、産業用駆動機器、溶接機器、誘導加熱機器 誘導加熱機器、サーバーおよび通信システム用の電源など、IGBTベースのアプリケーションに適しています。

全製品とも、DSO8 150milおよび300milパッケージでご提供しております。 EiceDRIVER™を、CoolMOS™などのSuper-Junction MOSFET、IGBT、CoolSiC™などのシリコンカーバイド（SiC）MOSFET、IGBTモジュールと組み合わせることで、お客様の設計目標を達成します。