Dual-channel isolated gate driver | EiceDRIVER™ 2EDi

概要

正確で安定したタイミングを提供する、高速で堅牢な2チャンネル、機能絶縁/強化絶縁MOSFETゲートドライバIC

2チャンネル、絶縁ゲートドライバIC製品ファミリーEiceDRIVER™2EDi、は、高性能ハーフブリッジでの堅牢な動作を目的に設計されています。本製品は、一次側および二次側のハードおよびソフトスイッチングトポロジーに対応しており、電力変換効率を最適化し、通常動作および異常動作時で堅牢なスイッチモード電源動作を確保するのに、たいへん重要な役割を果たしています。主な利点には、1A / 2A、4A / 8Aのソース/シンク電流オプションから選択できることにより、MOSFETスイッチング速度、EMIを最適化できます。また、複数パッケージタイプ（150mil 16ピンDSO、300mil 16ピンDSO、5x5 mm 13ピンLGA）があるため、最適な絶縁やアセンブリー技術を選択できます。さらに、低電圧ロックアウト　(UVLO) 機能があるため、MOSFETのゲート閾値電圧の検出に最適です。また、伝搬遅延時間が短く、温度および保護機能のタイミング精度が高いため、実際の過酷な動作条件下において、安定したスイッチモード電源性能を発揮します。

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製品
ハイライト
詳細

製品の主な機能

正確なタイミングでの高速電力変換

  • 4A / 8Aおよび1A / 2Aのソース/シンク電流
  • チャンネル間ミスマッチが3nsと低い、37ns伝播遅延 (typ.)
  • 遅延変動：〜14ns

パッケージ面積およびシステムBOMの最適化→絶縁とドライバーを1パッケージ化

  • 低オン抵抗による低消費電力
  • 逆電流耐性5Aの出力ステージ

スイッチングノイズに対して堅牢な設計

  • フローティングドライバが、大きな誘導電圧のオーバーシュートとアンダーシュートを処理
  • きわめて優れたコモンモード過渡耐性CMTI>150 V/ns
  • スイッチ保護用の低電圧ロックアウト機能

出力チャンネル間絶縁

  • 機能レベルのガルバニック絶縁

入出力チャンネル間絶縁

  • 機能絶縁および強化絶縁

製品の利点

効率の向上と損失の低減

  • 高速で正確なターンオン/オフによりハーフブリッジのスイッチング損失を低減
  • 軽負荷の最適化など、新しいデジタル高速・高分解能PWM制御に最適

より小型の物理的寸法(フォームファクター)での熱挙動の改善

  • 体積1cm3以上のパルストランスフォーマに対し、パッケージ高1 mmのLGA、2.3 mmのDSO。ゲートドライバ出力の値段の張る2個の保護ダイオードを排除

保護と安全な操作

  • 高速スイッチング過渡現象を伴う高電力設計での使用に最適
  • ハイサイドMOSFETをオンにする信頼性の高いコアレストランスフォーマ (CT) PWMシグナルチェーン

柔軟な構成

  • HS+LS、HS+HS、LS+LS、または1xHSで2x Imax 

規制安全

  • 一次側制御に機能絶縁
  • 二次側制御に強化絶縁

システムの利点

  • 高いシステム効率と電力密度の設計が可能
  • 長期的な競争力のあるコストポジション、高集積、高い量産性
  • 通常および異常なフィールド（グリッド）状態での電源スイッチの安全動作を改善し、最終製品を長寿命化
  • グランド絶縁、ドライバーのMOSFET近接、または4ピンケルビンソースMOSFETの使用によりEMIを低減
  • コンポーネント（VDE884-x、UL1577）およびシステム（IEC60950、IEC62386）証明書による簡略化された安全承認

顧客のメリット

  • 使いやすい小型の物理的寸法(フォームファクタ)のドライバー+ 1つのパッケージで絶縁
  • 伝搬遅延わずか37 nsの高速4A / 8Aおよび1A / 2Aゲートドライバにより、電力効率を向上
  • 全負荷および軽負荷の効率を最適化するため、電力ステージ内および電力ステージ全体で安定した高分解能PWMタイミング精度
  • ノイズの多い高電圧MOSFETパワースイッチング環境向けに150V/nsのコモンモード過渡耐性(CMTI)堅牢性を備えたガルバニック絶縁
  • 改善された保護機能に、システム全体のコンポーネントコストの高い競争力
  • 計画的なUL1577、VDE0884-1x、IEC60950 / 62386の強化された安全証明書により、短時間での市場投入

アプリケーション

ビデオ

EiceDRIVER™ gate driver kit for MOSFETs - overview: 1EDN, 2EDN, 1EDN TDI, 2EDi

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Infineon offers a wide range of different EiceDRIVER™gate drivers for MOSFETs. 1EDN 1-channel MOSFET gate driver ICs serve as the essential link connecting control ICs, powerful MOSFETs and GaN switching devices. There is also a 2EDN 2-channel MOSFET driver ICs available. In addition, the 1-channel non-isolated gate drivers with Truly Differential Inputs called 1EDN TDI. Finally, the 2EDi, dual-channel isolated product family of gate driver ICs, designed for robust operation in high performance CoolMOS™, CoolSiC™ and OptiMOS™ MOSFET half-bridges.

インフィニオン独自の2チャンネル絶縁ゲートドライバIC

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2チャンネル強化絶縁ゲートドライバIC EiceDRIVER™ 2EDS8265H用評価キット

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本評価キットは、絶縁ゲートドライバEiceDRIVER™2EDiファミリー製品の2チャンネル強化絶縁ゲートドライバIC 2EDS8265Hの評価プラットフォームです。

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