6EDM2003L06-F15 IGBTおよびMOSFET用3相ブリッジドライバーICベアダイ

概要

6EDM2003L06-F15は、最大耐圧+600 Vの3相システムでのMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス制御用のフルブリッジドライバーです。使用されている SOI 技術は、過渡電圧に対する優れた耐久性を備えています。デバイスに寄生サイリスタ構造はありません。そのため、あらゆる温度下および電圧条件下で寄生ラッチアップが発生しません。

特長

600 V 薄膜SOI技術
-50 Vの負の過渡電圧耐量
ブートストラップ機能内蔵
CMOSおよびLSTTL互換入力
インターロックでシュートスルー保護
過電流保護 (OCP)、低電圧ロックアウト保護 (UVLO)
エラー時は全スイッチをシャットダウン
過電流保護後、65 µsの遅延でフォールトクリア

利点

BSダイオード内蔵によるコスト削減
負のVS過渡耐性50 Vによる高い信頼性の実現
保護機能内蔵によるコスト削減
低電圧保護 (UVLO)

図

サポート