2ED3145MC12L デッドタイム制御搭載をした6.5 A/5.7 kV(rms) デュアルチャネル絶縁ゲートドライバー、UL 1577認定、低電圧ロックアウト (UVLO) 11.0 V (しきい値電圧は製品型番により異なります)

概要

EiceDRIVER™ Compact 14ピンDSOワイドボディパッケージの，ピーク電流6.5 A  Sink/6.0 A Sourceの小型デュアルチャネル絶縁ドライバ。製品型番により、IGBT、MOSFET、SiC MOSFETに対応しています。

デッドタイム制御 (DTC) 機能と独立したチャンネル動作が可能です。これにより、デッドタイムが設定可能なデュアル チャネル ローサイドドライバー、デュアル チャネル ハイサイド ドライバー、ハーフブリッジゲートドライバーとしての動作が可能です。

特長

  • 耐圧600 V / 650 V / 1200 V / 1700 V / 2300 VのIGBT、Si、SiC MOSFET用
  • 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
  • ガルバニック絶縁コアレストランスフォーマー ゲートドライバー
  • ピーク出力電流 (typ.): 6.5 A
  • 伝播遅延 39 ns
  • 絶対最大出力電源電圧: 35 V
  • 高いコモンモード過渡耐性: CMTI >200 kV/μs
  • アクティブ シャットダウン、短絡クランプ
  • 入力電源電圧: 3.3 V、5 V
  • ディスエーブルピンで出力をオフ
  • 11 V/ 12 V ヒステリシス付き低電圧ロックアウト (UVLO) 保護 (しきい値電圧は製品型番により異なります)

利点

  • 沿面距離8 mm、空間距離 3.3 mm
  • 部品間の伝搬遅延マッチング(最大8 ns)
  • 短いチャネル間の遅延ミスマッチ (skew) 5 ns
  • デュアルチャネル構成により設置面積を削減
  • デッドタイム制御
  • UL 1577 VISO = 6.84 kV (rms) × 1秒、5.7 kV (rms) × 1分
  • IEC 60747-17 (予定) でVIORM = 1767 V (ピーク絶縁、強化絶縁)
図
トレーニング

Introducing the EiceDRIVER™ 1ED314x and 2ED314x family

Isolated gate drivers are electronic devices designed to drive the gates of power semiconductor devices. This training video will introduce the new EiceDRIVER™​ X3 Compact 1ED314x family (single-channel) and 2ED314x family (dual-channel) galvanically isolated gate drivers and share its features, benefits, and the application positioning.​

サポート