2ED2778S01G ブートストラップ内蔵160 VハーフブリッジSOIゲートドライバー

概要

SOI技術を採用した，Nch MOSFET用のソース電流8 A (typ)，シンク電流4 A (typ) のMOTIXTM 160 Vハーフブリッジゲートドライバです。小型パッケージVSON10 (3x3 mm) パッケージを採用しています。ハイサイドのブードストラップコンデンサへの電源供給用に，ブートストラップダイオードを内蔵しています。VccとVBピンの両方に，低電圧保護機能 (UVLO) を備えています。2ED2778はJEDEC78/20/22の試験に準拠し，産業用アプリケーションに適合しています。

特長

  • ブートストラップ電圧 (VB) +160 V
  • ブートストラップ動作用に設計されたフローティング
  • ブートストラップダイオード内蔵
  • ハイサイド、ローサイド共にUVLO搭載
  • シュートスルー保護
  • ショートパルス/ノイズ入力フィルタ
  • シュミットトリガー入力
  • 3.3 V、5 V入力ロジック対応
  • 小型VSON10 (3×3mm) パッケージ
  • 2.5 kV HBM ESD, RoHS対応

利点

  • 高電力密度
  • 省スペース
  • 高い耐久性と信頼性
  • 優れた熱管理機能
  • 拡張性
  • シンプルさ (使いやすさ)
図
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