2ED2388S06F

概要

パワーMOSFETやIGBTを駆動用の650 V 高速ハーフブリッジゲートドライバーは、DSO-8パッケージを採用し、ソース電流は0.29 A (typical)、シンク電流は0.7 A (typical) です。

2ED2388S06Fは、インフィニオンのSOI技術を使用しており、VS端子の負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を備えています。本デバイスには寄生サイリスタ構造がないため、全動作温度と電圧範囲にわたって寄生ラッチアップが発生しません。

特長

最大動作電圧 (VSノード) +650 V
100 Vの負のVS過渡電圧耐量
超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵
伝播遅延90 ns
HIN, LINロジック入力
フローティングチャネルによるブートストラップ動作
両チャンネルに独立した低電圧ロックアウト機能 (UVLO) を搭載
VSピンにおいて-11 Vまでロジック回路動作可能
入力において-5 Vの負電圧を許容
最大電源電圧25 V
3.3 V、5 Vおよび15 V入力ロジックに対応

利点

ブートストラップダイオード内蔵: 省スペース、BOMコストの削減、よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化
レベルシフト損失を50%低減
VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れる

2ED2388 family variations

Part No	Package	Input logic	Interlock	Deadtime
2ED2101S06F	DSO-8	HIN, LIN	NO	None
2ED2103S06F	DSO-8	HIN, /LIN	YES	Internal 520 ns
2ED2104S06F	DSO-8	IN, /SD	YES	Internal 520 ns

図

サポート