2ED020I12-FI
概要
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP
EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge Gate Driver IC for IGBT, MOSFET and SiC MOSFET with typical 1.5 A source and 2.5 A sink currents in PG-DSO-18 package.
特長
- 1200 V coreless transformer isolated Driver ICs
- Rail-to-rail outputs
- Protection function
- Floating high side driver
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3 V and 5 V TTL compatible inputs
利点
- Space saving package
- Improved energy efficiency
図
ビデオ
トレーニング
このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
SiC(シリコンカーバイド)MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。
- The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc
- The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
サポート



