1EDI10I12MF

概要

1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping

Single channel IGBT driver that provide output currents up to 1 A and an integrated active Miller Clamp circuit with the same current rating to protect against parasitic turn on. 

特長

  • Galvanically isolated
  • For 600 V / 650 V / 1200 V IGBTs
  • 1 A minimum peak rail-to-rail output current
  • Active Miller Clamp

利点

  • Wide input voltage operating range
  • Suitable for operation at high ambient temperature

推奨アプリケーション例

図
ビデオ
7:03

インフィニオンのゲートドライバのご紹介

インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。

1:41

高度保護機能を搭載したガルバニック絶縁ゲートドライバ

ガルバニック絶縁ゲートドライバEiceDRIVER™は、独自のコアレストランスフォーマ(CT)技術で、ガルバニック絶縁をまたぎ信号を伝送します。特にSiC MOSFETおよびGaN HEMT向けに、短絡保護、同相過渡電圧耐性(CMTI) 100kV/μs、アクティブミラークランプ、ソフトターンオフなどの機能を提供しています。

トレーニング
30:25

IGBTディスクリートおよびモジュール向けゲートドライバの選択法

このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

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シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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