1ED3143MC12H 6.5 A出力電流、独立した出力、GND2を基準とするUVLOを備えた5.7 kV、1チャネル 強化絶縁ゲートドライバーIC

概要

EiceDRIVER™ Compact はIGBT、MOSFET、SiC MOSFET用の1チャンネル絶縁型ゲートドライバーで、８ピンLDSOワイドボディ パッケージ、シンク出力電流6.5 Aおよびソースのピーク出力電流6 Aです。

特長

  • 最大2300 VのIGBT、Si、SiCの各スイッチに対応
  • 2300 Vまでの機能オフセット
  • ガルバニック絶縁コアレストランスフォーマー
  • ピーク出力電流最大6.5 A
  • 伝搬遅延 40 ns
  • 絶対最大出力電圧 35 V
  • 最高CMTI >300 kV/μs
  • アクティブシャットダウン、短絡クランプ
  • 電源電圧3.3 Vおよび5 V
  • ヒステリシス付き11 V/12 VのUVLO保護
  • GND2 を基準とする UVLO

利点

  • 入出力間の沿面距離および空間距離8mm
  • 最大伝搬遅延 7 ns
  • CTI 600のパッケージ
  • 過熱保護
  • IEC 60747-17に準拠した強化絶縁 (予定), UL1577
  • VIORM = 1767 V (ピーク、強化絶縁)
  • VISO = 6.84 kV (rms) (1秒)
  • VISO = 5.7 kV (rms) (分)
図
トレーニング

Introducing the EiceDRIVER™ 1ED314x and 2ED314x family

Isolated gate drivers designed to drive the gates of power semiconductor devices. This training video will introduce the new EiceDRIVER™​ X3 Compact 1ED314x family (single-channel) as well as the 2ED314x family (dual-channel) galvanically isolated gate drivers.

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