1ED3141MC12H 強化絶縁、低電圧保護機能 (UVLO) 11 V、6.5 A出力、独立した出力を備えた5.7 kVの１チャネル絶縁型ゲートドライバーIC

概要

EiceDRIVER™ Compact はIGBT、MOSFET、SiC MOSFET用の1チャンネル絶縁型ゲートドライバーで、８ピンLDSOワイドボディ パッケージ、シンク出力電流6.5 Aおよびソースのピーク出力電流6 Aです。

特長

  • 最大2300 VのIGBT、Si、SiCの各スイッチに対応
  • 2300 Vまでの機能オフセット
  • ガルバニック絶縁コアレストランスフォーマー
  • ピーク出力電流最大6.5 A
  • 伝搬遅延 40 ns
  • 絶対最大出力電圧 35 V
  • 最高CMTI >300 kV/μs
  • アクティブシャットダウン、短絡クランプ
  • 電源電圧3.3 Vおよび5 V
  • ヒステリシス付き11 V/12 VのUVLO保護
  • 独立した出力

利点

  • 入出力間の沿面距離および空間距離8mm
  • 最大伝搬遅延 7 ns
  • CTI 600のパッケージ
  • 過熱保護
  • IEC 60747-17に準拠した強化絶縁 (予定), UL1577
  • VIORM = 1767 V (ピーク、強化絶縁)
  • VISO = 6.84 kV (rms) (1秒)
  • VISO = 5.7 kV (rms) (分)

Every driver needs a Power supply. That’s why Infineon now also offers the EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR family, a full-bridge transformer driver IC housed in a compact TSSOP8 pin package that provides a simple power-supply alternative to generate an asymmetric output voltage to supply isolated gate drivers.

Learn more about the transformer driver ICs

図
トレーニング

Curious to learn more about how to make your gate driver designs simpler? Join us in this training where we will show you what to consider when selecting the gate driver for your application, go through the drive circuit step by step design, provide an outline of design considerations, while also taking the schematic and layout aspects into consideration!

Isolated gate drivers designed to drive the gates of power semiconductor devices. This training video will introduce the new EiceDRIVER™​ X3 Compact 1ED314x family (single-channel) as well as the 2ED314x family (dual-channel) galvanically isolated gate drivers.

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