1ED3127MU12F
アクティブミラークランプを備えた1チャンネル絶縁型ゲートドライバー、10 A、3 kV (rms)、UL1577認証、12 V UVLO
EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバーは、Si MOSFET、Si IGBT、SiC MOSFET 用ゲートドライバーで、DSO-8 ナローボディ パッケージに搭載されており、シンクおよびソースのピーク出力電流10 A (typ.) です。
1ED3127MU12F は、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxv ファミリー (X3 Compactファミリー) のゲートドライバーです。1ED3127 は、アクティブ ミラークランプ、SiC MOSFET に対応した低電圧ロックアウト機能 (UVLO)、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBT を安全にオフ状態にするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピングを提供します。このドライバーは広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラのいずれかで動作させることができます。
特長
- EiceDRIVER™ Compact 1 チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xx ファミリー (X3 Compact ファミリー)
- 最大2300 V のSi IGBT、Si およびSiC MOSFET用
- 2300 V のオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
- ガルバニック絶縁型コアレストランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流 : 10 A (Typ.)
- 絶対最大出力電源電圧：40 V
- 伝搬遅延 (30nsの入力フィルター付き) : 90 ns
- 高いコモンモード過渡耐性: CMTI > 200 kV / μs
- アクティブ ミラー クランプ
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 150 mil ナローボディ パッケージ
- ヒステリシス付き12 V / 14.2 V 低電圧ロックアウト (UVLO) 保護
利点
- 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
- IC間ターンオン伝搬遅延マッチングがタイトで (最大7 ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- UL1577 VISO = 3.6 kV (rms) / 1秒、 3.0 kV (rms) / 1分
- 部品間の伝搬遅延マッチング (最大15 ns) により、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
- 正確な閾値とタイミング、UL1577 の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
EiceDRIVER™ Compact 1ED31xx ファミリー (X3コンパクトファミリー) 製品を検索
| 品番 | 電流 (typ.) | 特長 | UVLO | 絶縁証明 |
| 14 A | セパレート出力 | 10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ |
10.5/12.5 V |
UL 1577 |
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| 10 A | アクティブミラークランプ | 12/14.2 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 8.6/9.3 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 11.1/12 V |
UL 1577 |
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| 6.5 A | セパレート出力 | 12.6/13.6 V |
UL 1577 |
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