1ED3123MC12H

概要

14 A, 5.7 kV (rms) シングルチャンネル絶縁ゲートドライバー、2つの分離された出力、UL 1577 & VDE 0884-11認証、8V UVLO

EiceDRIVER™ IGBT、MOSFET、SiC MOSFET向けに、沿面距離が大きい（>8 mm）DSO-8ワイドボディパッケージで、標準5.5 A のシンクおよびソーシングピーク電流出力のコンパクトな1チャンネル絶縁ゲートドライバーです。

1ED3123MC12Hは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリ（X3 Compactファミリー）に属します。1ED3122は、シンク/ソース分離出力、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBTを安全にオフ状態にするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキットクランピングを提供します。このドライバーは、広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラで作動させることができます。

特長

  • EiceDRIVER™ コンパクトな1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
  • 650 V/1200 V/1700 V/2300 VのIGBT、SiおよびSiC MOSFETに使用可能
  • 2300 V の機能オフセット電圧に対応（特定用途向け)
  • ガルバニック絶縁型コアレストランスゲートドライバー
  • 14 A（標準）シンクおよびソースピーク出力電流
  • 40 V 絶対最大出力電源電圧
  • 90 ns の伝搬遅延（30 nsの入力フィルタが内蔵)
  • 高いコモンモード過渡耐性 CMTI > 200 kV/μs
  • アクティブミラークランプ
  • 短絡クランプとアクティブシャットダウン
  • DSO-8 300 mil ワイドボディパッケージ、大きな沿面距離 (>8 mm)
  • ヒステリシス付き8V/10V 低電圧ロックアウト（UVLO）保護機能

利点

  • 内蔵フィルターにより、外部フィルターの必要性を低減
  • IC間ターンオン伝搬遅延のタイトなマッチング（最大7ns）、経年変化、電流、温度による変動がなくアプリケーションの堅牢性を向上させる耐性。
  • 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに適しています。
  • UL 1577 VISO = 6.8 kV (rms), 1秒, 5.7 kV (rms), 1分
  • IEC 60747-17/VDE 0884-11で VIORM=1767V（ピーク、強化絶縁）。
  • 伝搬遅延が小さいため、デッドタイムが短くなり、システム効率が向上し、高調波歪みが減少します。
  • 高精度なスレッショルドとタイミング、UL1577認証により、優れたアプリケーションの安全性を実現します。
  • 高い絶縁能力により、1500 V DC ソーラーインバーターアプリケーションで使用可能です。
Part No Typ. Current Feature UVLO Isolation Certification
1ED3120MC12H 5.5 A Seperate output

8/10 V

UL 1577 & VDE-11
1ED3121MC12H 5.5 A Seperate output

10.5/12.5 V

UL 1577 & VDE-11
1ED3122MC12H 10 A Active Miller clamp

8/10 V

UL 1577 & VDE-11
1ED3123MC12H 14 A Seperate output

8/10 V

UL 1577 & VDE-11
1ED3124MC12H 14 A Seperate output

10.5/12.5 V

UL 1577 & VDE-11
1ED3131MC12H 5.5 A Seperate output, 180 ns input filter

10.5/12.5 V

UL 1577 & VDE-11
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